後藤民浩
研究内容	アモルファス・ナノ材料の光・電子物性に関する研究
最近の研究業績	1. K. Kawarai, and T. Gotoh, Improvement of crystallization rate in post-Annealed Ge2Sb2Te5 films, Key Engineering Materials 459 (2011) 23-26. 2. T. Gotoh, K. Kawarai, H. Wakabayashi, and K. Kaneda, Effect of annealing on sub-gap absorption in amorphous InGaZnO4 films, Key Engineering Materials 459 (2011) 19-22. 3. T. Gotoh, and K. Kaneda, Sub-gap absorption study of amorphous InGaZnO4　films by photothermal deflection spectroscopy, J. Non-Cryst. Solids 358 (2012) 2450-2452. 4. T. Gotoh, Sub-gap states in Ge2Sb2Te5 phase change films, Journal of Non-Crystalline Solids 358 (2012) 2366-2368. 5. T. Gotoh, Sub-gap absorption study of SnS films deposited by thermal evaporation of sulfurized Sn powder, Phys. Status Solidi C 9 (2012) 2407-2410. 6. K. Kaneda, and T. Gotoh, Electrical properties of DC-sputtered amorphous InGaZnO4 films, Key Engineering Materials 534 (2013) 36-39. 7. T. Gotoh, K. Yazawa, and K. Imai, Electrical Properties of SnS films deposited by thermal evaporation of sulfurized Sn powder, Key Engineering Materials 596 (2014) 21-25. 8. T. Gotoh, Effect of annealing on carrier concentration in Ge2Sb2Te5 films, Canadian Journal of Physics 92 (2014) 681-683. 9. 後藤民浩; 相変化材料の特性コントラストの起源、ニューガラス, 29 (2014) 18-22. 10. 後藤民浩;光熱偏向分光法による相変化薄膜の評価、セラミックデータブック,42 (2015) 86-88. 11. T. Gotoh, Control of carrier concentration in SnS films by annealing with S and Sn, Phys. Status Solodi A (2016) accepted.
居室	荒牧キャンパスGA棟
個人Webページ
研究キーワード	アモルファス・ナノ材料、カルコゲナイド材料、光・電子物性、相変化記録、太陽電池、光熱変換分光法